숙명여자대학교는 신소재물리전공 주민규 교수 연구팀이 텔루륨(Te) 박막 기반 트랜지스터의 저주파 전류 잡음 특성 평가를 통해 양극성 전하 산란 메커니즘을 규명하고 고집적 전자 회로에 적용할 가능성을 보고했다고 19일 밝혔다.

이번 연구는 주 교수팀과 인하대 함명관·이문상 교수팀, 동국대 김언정 교수팀이 공동으로 수행했다. 연구 결과는 지난달 24일 SCIE 저널인 ACS 어플라이드 엔지니어링 머티리얼스(Applied Electronic Materials, IF: 4.4, 전자공학 분야: Q1)에 게재됐다. (논문명: Understanding Coulomb Scattering Mechanism in Ambipolar Tellurium Nanosheet Transistors).

기존 실리콘 기반 반도체가 반도체 공정의 고도화로 물리적 한계에 도달함에 따라 이를 극복하기 위한 대안으로 2차원 반도체 소재가 주목받고 있다. 이에 따라 연구팀은 높은 전계효과 이동도를 보이는 텔루륨(Te)에 주목했다.

연구팀은 “이번 연구는 원자층 증착(ALD) 기술을 활용해 알루미나를 증착함으로써 전자 이동성을 개선하고 텔루륨 결함의 영향을 최소화했다”며 “단일 채널에서 전자와 정공의 산란 메커니즘을 동시에 분석하고, CMOS 응용 기술에 적용할 수 있는 반전기(NOT 게이트)를 성공적으로 구현했다”고 설명했다.

이 연구는 주 교수팀 소속 ICT융합공학부 응용물리전공 21학번 정민 학부연구생이 제1저자로 참여했다.

주 교수는 “이 연구는 텔루륨을 포함한 양극성 전하 거동을 보이는 반도체 소재의 전하 산란 메커니즘에 대한 중요한 통찰을 제공했다”면서 “향후 신경모사 반도체와 인메모리 센서 분야에서의 응용 가능성이 기대된다”고 밝혔다.