생산성 30%↑ 소비 전력 20%↓

삼성전자가 메모리 반도체 분야의 ‘난공불락’이었던 ‘10나노급 D램’의 시대를 열었다. 삼성전자는 지난 2월 10나노(㎚)급 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램의 양산을 시작했다고 5일 밝혔다. 1㎚는 10억분의1m 크기로, 숫자가 낮을수록 생산성은 높지만 그만큼 높은 기술력이 필요해 메모리 반도체 분야의 미세 기술 한계로 여겨져 왔다. 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 삼성전자는 2년 만에 10나노급 8Gb DDR4 D램까지 양산하는 데 성공해 다시 한번 메모리 기술의 이정표를 세웠다.

이번에 양산한 10나노 8Gb DDR4는 ‘초고집적 설계 기술’을 적용해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성은 30% 이상 높이고 소비전력은 10~20% 절감할 수 있도록 했다. 또 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 ‘사중 포토 노광 기술’을 업계 최초로 D램에도 적용했다.

김소라 기자 sora@seoul.co.kr