4기가바이트 고대역폭 메모리 2세대 D램…슈퍼컴퓨터·고성능 그래픽 카드 등에 이용

삼성전자가 시판 중인 D램 반도체의 속도보다 7배 이상 빠른 차세대 D램 공급을 시작했다고 19일 밝혔다. 비싼 가격 때문에 지금은 슈퍼컴퓨터나 고성능 그래픽 카드에 쓰이지만 가격이 합리적인 수준까지 내려오면 기존 D램 시장을 빠르게 대체할 것으로 전망된다.

양산에 들어간 차세대 메모리반도체는 4기가바이트(GB) HBM(고대역폭 메모리) 2세대 D램이다. 실리콘 관통 전극(TSV) 기술이 적용됐다. 일반 D램 칩을 종이 두께의 절반보다 얇게 저며 깎은 다음 5000개 이상의 구멍을 뚫고, 이런 칩을 위아래로 쌓은 뒤 구멍에 맞춰 수직으로 연결하는 첨단 기술이다.

대표적인 메모리 반도체인 D램의 생명은 속도인데 TSV 기술을 사용하면 기존 D램보다 데이터 처리 속도가 빨라진다. 4GB HBM2 D램은 초당 256Gb의 데이터를 전송한다.

현재 개발된 D램 중 가장 빠른 그래픽 D램(GDDR5)보다 7배 많은 정보를 처리할 수 있는 속도다. 1W당 데이터 전송량을 2배 높여 전력 소모를 크게 줄였다. 또 얇은 칩을 위아래로 쌓아 만들기 때문에 좌우로 배열해야 하는 GDDR5보다 그래픽 카드 안에서 차지하는 면적을 95% 이상 줄일 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다. 삼성전자는 올해 상반기 안에 용량을 2배 늘린 8GB 차세대 D램도 양산할 계획이다.

전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 “차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 정보기술(IT) 기업이 초고성능의 슈퍼컴퓨터, 빅데이터 전용 클라우드 서비스에 필요한 컴퓨팅 시스템을 도입하는 데 기여하게 됐다”면서 “앞으로 프리미엄 메모리 기술을 기반으로 새로운 성장 동력을 확보하겠다”고 말했다.

오달란 기자 dallan@seoul.co.kr