하이닉스반도체가 30나노급 낸드플래시를 개발한 지 6개월 만에 20나노급 낸드플2래시 반도체를 개발했다고 발표했다. 이에 따라 올해 반도체 업계에서는 생산성 향상을 위한 ‘나노 전쟁’이 치열하게 전개될 전망이다.

하이닉스는 9일 20나노급 기술을 적용한 64Gb(기가비트) 낸드플래시 개발에 성공했다고 밝혔다. 하이닉스의 20나노 개발 발표는 이달 초 미국 업체 인텔과 마이크론의 합작사인 IM플래시테크놀로지에 이어 세계 두 번째다.

하이닉스는 이번 개발 성공을 기반으로 64GB(기가바이트) 메모리 용량 시대가 앞당겨질 것으로 기대하고 있다. 64GB 메모리는 일간 신문 400년치와 DVD 영화 40편 정도의 정보를 저장할 수 있는 용량이다.

지금까지 D램과 달리 낸드플래시 부문에서는 삼성전자와 하이닉스의 격차는 상당히 벌어져 있었다. 30나노급은 삼성전자가 2007년 개발에 성공했지만 하이닉스는 지난해 8월에 들어서야 제품을 내놨다. 6개월 남짓 기간에 기술 격차를 상당히 줄인 셈이다.

20나노급이란 반도체 소자에 들어가는 회로 선폭이 20nm(나노미터·10억분의1m)급임을 의미한다. 그만큼 최소형 소재를 생산할 수 있게 된다. 생산성 역시 20나노 제품이 30나노보다 2배 정도 높다.

삼성전자 관계자는 “지난해 10월 이미 20나노급 낸드플래시 시제품을 개발했고, 상반기 안에 실제 양산도 가능할 것”이라고 밝혔다. 하이닉스가 발표한 양산 시점인 3분기보다 한 발짝 앞선 셈이다.

해외 업체들의 추격도 만만찮다. 낸드플래시 부문에서 지난 2005년 53.4%의 압도적인 점유율을 기록하던 삼성전자가 지난해 39.6%로 내려 앉은 사이 도시바는 33.9%로 약진했다.

이두걸기자 douzirl@seoul.co.kr