50나노보다 생산성 60% 향상… 올해 3분기 안에 상용화 계획

삼성전자가 세계 최초로 40나노(㎚·1나노=10억분의 1ｍ)급 D램 제품을 개발했다. 삼성전자는 2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품을 잇달아 세계 최초로 개발해 내는 기록을 이어갔다.

삼성전자는 4일 40나노급 공정기술을 처음 적용한 더블데이터레이터(DDR)2 D램 제품을 개발했다. 올해 3분기 안에 이 기술을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 상용화할 계획이다.

특히 이번에 개발된 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 지난해 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM(노트북 등 소형 세트에 사용되는 메모리 모듈)까지 2종의 제품 채용 평가를 완료했다. 삼성전자 관계자는 “50나노급이 2006년 제품 개발 후 2008년 양산까지 약 2년 정도 걸렸던 것에 비해 공정이 더 미세해지는 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축한 것은 현재 시장 상황을 적극적으로 타개해 나가고자 하는 전략”이라고 설명했다.

40나노급 D램은 전력소비량의 기존 제품보다 적다. 50나노급 D램 대비 30% 이상의 소비전력을 줄일 수 있다. 또 같은 면적의 반도체 원판(웨이퍼)에서 더 많은 제품을 생산할 수 있어 생산성이 더 높다. 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램에 비해 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있다.

이번 개발 성공으로 삼성전자는 반도체 경쟁에서 경쟁 업체보다 훨씬 뛰어난 경쟁력을 갖게 됐다.

삼성전자와 하이닉스는 이미 지난해 2분기 50나노급 D램 양산에 들어갔다. 이는 업계에서 가장 앞선 기술로 반도체 4위의 미국 마이크론테크놀로지는 아직 60나노급 D램을 만들고 있다. 시장점유율 3위인 일본의 엘피다메모리가 올 1분기 50나노급 공정을 적용하겠다는 계획을 밝혔다. 하지만 삼성전자는 다시 한걸음 앞서 올해 40나노급 D램 양산에 들어가며 제조 경쟁력 격차를 1~2년 이상 늘렸다.

한편 반도체 가격도 하락세가 진정됐다. 1달러대까지 떨어졌던 16Gb 낸드플래시 가격은 지난해 12월 2.31달러로 급등해 지난달 2.46달러에 거래됐다. 1Gb D램은 0.58달러까지 하락한 가격이 지난해 12월 0.66달러로 반전, 최근 1.13달러로 1달러 선을 회복했다.

하지만 업계에서는 본격적인 반등은 이르다는 지적이다. 최근 반도체 가격반등은 하이닉스반도체와 타이완 업체들의 감산과 독일 D램 생산업체 키몬다의 파산 등 공급 감소 때문으로 본격적인 시장 반등은 수요가 살아나야만 가능할 것이라고 분석했다.

김효섭기자 newworld@seoul.co.kr