현대전자가 세계 최초로 2세대 256메가S(싱크로너스)D램의 양산에 성공했다고 8일 발표했다.

2세대 256메가SD램은 반도체 사상 세계 최초로 회로선폭 0.15㎛(미크론)의초미세 공정기술이 적용돼 칩의 크기가 40% 줄고 웨이퍼당 생산가능한 칩 개수도 70% 늘어났다. 반도체 칩안의 회로 간격이 좁을수록 칩 크기도 줄어들고 하나의 웨이퍼로 만들 수 있는 칩 개수가 늘어나 가격경쟁력을 높일 수있다.지금까지 반도체 양산에 적용된 회로선폭으로는 0.18㎛이 가장 작았다.

2세대 256메가SD램은 또 데이터 처리속도가 166MHz으로 지금까지 동종 제품 가운데 가장 빨라 그래픽용 시스템에 채용하기 유리하다.그동안 256메가SD램의 최고 처리속도는 133MHz였다.

이와 함께 2세대 256메가SD램은 200자 원고지 8만4,000장에 해당하는 데이터를 저장할 수 있다.

김세정(金世楨) 현대전자 메모리연구소장은 “2세대 256메가SD램은 1세대공정의 상당부분을 그대로 사용하고 있어 신규투자가 거의 들지 않는다”며“0.15㎛의 회로선폭 기술도 현재 주력제품인 64 및 128메가D램에 적용할 수있어 원가경쟁력을 크게 높일 수 있다”고 말했다.

현대전자는 내년초부터 2세대 256메가SD램의 본격 양산에 들어가 세계시장의 20%를 점유한다는 계획이다.

추승호기자 chu@