차세대 핵심 메모리 STT-M램 하이닉스·도시바 공동생산 계약

차세대 핵심 메모리 STT-M램 하이닉스·도시바 공동생산 계약

입력 2011-07-14 00:00
업데이트 2011-07-14 00:12
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합작사 설립… 2014년부터 양산

하이닉스반도체는 일본 도시바와 핵심 차세대 메모리인 ‘STT-M램’(이하 M램)에 대한 공동 개발 및 합작사 설립을 통한 공동 생산 계약을 체결했다고 13일 밝혔다.

M램 공동 개발은 차세대 유망 기술 분야에 대한 세계 반도체 상위 업체 간 협력이라는 점에서 주목된다. M램은 초고속 및 저전력으로 동작할 수 있으며 전력 공급 없이도 데이터를 보관할 수 있어 안정성이 높다. 또 반도체 생산의 기술적 한계로 여겨지는 10나노 이하에서도 집적이 가능한 게 특징이다.

세계 반도체 시장 점유율 3위인 도시바는 M램의 기술 및 개발 능력 면에서 뛰어난 경쟁력을 갖춘 것으로 알려졌고, 하이닉스는 업계 최고 수준의 메모리 반도체 기술과 원가 경쟁력을 갖추고 있다. 두 회사는 합작사를 설립해 공동 개발한 M램 제품을 2014년부터 양산할 계획이다. 초기에는 저전력 특성을 기반으로 한 모바일 시장에 진입한 뒤 중·장기적으로 PC 및 서버 시장까지 공략할 방침이다. 권오철 하이닉스 사장은 “M램은 빠른 동작 속도와 낮은 전력 소비, 높은 신뢰성 등의 기존 메모리의 장점을 두루 갖춰 새로운 모바일 기기 수요 확대와 제품의 고성능이 요구되는 ‘메모리 신성장 시대’에 최적화된 제품”이라고 강조했다.

류지영기자 superryu@seoul.co.kr

[용어 클릭]

●STT-M램(M램) 기존 D램이 저장된 전자의 유무를 이용해 0과 1의 정보를 구분한다면, M램은 자성 상태에 따른 저항 차이를 이용해 0과 1을 구분한다. 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능하고 내성이 강한 메모리로 평가받는다.

2011-07-14 19면
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