첫 번째 팹, 업무 시설 건설 관련 투자액
내년 3월 착공, 2027년 5월 준공 계획
1기 팹선 HBM, 차세대 D램 생산 예정
미니팹 구축해 소부장 업체 기술 지원

SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 경기 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(fab·반도체 생산공장)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조 4000억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다.

SK하이닉스에 따르면 용인 원삼면 일대 415만㎡ 규모의 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 인프라 구축 작업 등이 진행 중이다.

SK하이닉스는 기존 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획이다.

이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 다음달부터 2028년 말까지로 산정했다.

SK하이닉스는 이 곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소재·부품·장비(소부장) 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 인공지능(AI) 반도체 생산 거점’으로 성장시킨다는 계획이다.

회사는 첫 번째 팹에서 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산도 가능할 수 있게 준비하기로 했다.

SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹은 반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정 장비를 갖춘 연구시설을 말한다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 지원하기로 했다.

김영식 SK하이닉스 제조기술담당 부사장은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장이 될 것”이라고 말했다.