삼성전자가 중국에 스마트 기기의 핵심 부품인 낸드 플래시 메모리 반도체 생산공장을 건설한다. 삼성전자가 해외에 반도체 핵심 공정 라인을 짓는 것은 미국 텍사스주 오스틴 공장에 이어 두 번째다.

삼성전자는 중국 내 낸드플래시 라인 건설 투자를 위해 지식경제부에 해외 생산라인 설립을 위한 신청서를 제출했다고 6일 밝혔다. 새로 설립될 공장에서는 스마트폰, 태블릿PC 등의 급속한 확산으로 수요가 크게 늘고 있는 20나노급 이하 낸드 플래시 제품을 생산할 계획이다.

삼성전자는 정부에 설립 신청을 하는 동시에 중국 지방 정부와 건설 예정지 선정을 위한 협상에 들어갈 예정이다. 정부의 승인 절차와 중국과의 협상이 원만하게 진행될 경우 2012년 생산라인 건설을 시작해 2013년부터 가동에 들어간다는 목표다.

지식경제부는 정부·민간 공동의 ‘전기전자분야 산업기술보호 전문위원회’를 열어 승인 여부를 결정할 계획이다. 전문위원회에는 지식경제부·국가정보원 등 정부 측 인사 2명과 산업 분야 원로 학자 8명이 참여한다.

삼성전자가 핵심 기술 유출 우려에도 중국에 반도체 생산라인을 설립하려는 것은 세계 메모리 반도체 시장의 최대 수요처인 중국의 위상이 점점 커지고 있는 점을 감안한 적극적인 대응 전략으로 풀이된다.

현재 전 세계 스마트폰과 태블릿PC의 90% 이상이 중국에서 생산되고 있으며, 앞으로 그 비중은 더욱 높아질 전망이다. 낸드 플래시는 D램과 달리 기업들의 요구에 따른 ‘맞춤형 제품’을 생산해야 하는 경우가 많아 완제품 업체들과 긴밀한 협조가 필요하다. 따라서 고객과 최대한 가까운 곳에 공장을 설립하는 것이 유리하다.

또 중국에서 생산하려는 20나노 낸드플래시 제품 기술이 현지 공장이 가동되는 2013년쯤이면 다른 업체들도 다 할 수 있는 ‘보통 기술’이 되는 만큼 기술 유출에 대한 우려도 크지 않다는 게 삼성의 판단이다. 삼성전자 관계자는 “내년에 한국에서는 10나노대 제품이 나온다.”면서 “이미 세계 반도체 시장이 삼성전자 한 곳만 살아남은 구조로 굳어진 상황에서 2013년에 중국 업체들이 범용기술이 된 20나노 낸드 플래시 기술을 갖고 시장에 새로 뛰어들지는 않을 것”이라고 자신했다.

전동수 삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 사장은 “빠른 기간 내에 가동해 글로벌 정보기술(IT) 업체의 수요 증가에 차질 없이 대응해 나가는 한편 메모리 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 밝혔다.

류지영기자 superryu@seoul.co.kr